Dünya haritası - Sputnik Türkiye
DÜNYA
Rusya, ABD, Avrupa ve Ortadoğu başta olmak üzere dünyanın dört bir yanından son dakika haberleri, analizler ve özel dosyalar.

ABD Dışişleri: Tutuklu akademisyenler davasını yakından izliyoruz

© AP Photo / Manuel Balce CenetaJohn Kirby
John Kirby - Sputnik Türkiye
Abone ol
ABD Dışişleri Bakanlığı Sözcüsü John Kirby, Barış İçin Akademisyenler bildirisine imza attıkları için tutuklanan akademisyenlerin bugün Çağlayan'da bulunan İstanbul Adalet Sarayı'nda görülecek ilk duruşmasına ilişkin açıklamalarda bulundu.

Turkish President Tayyip Erdogan makes a speech during his meeting with mukhtars at the Presidential Palace in Ankara, Turkey, March 16, 2016 - Sputnik Türkiye
POLİTİKA
Erdoğan'dan 'yanak yanağa fotoğraf' tepkisi
Kirby, başkent Washington'da düzenlediği günlük basın toplantısında, konu ile ilgili kendisine yöneltilen bir soruya verdiği yanıtta, "Her şeyden önce, biz davayı çok yakından izliyoruz. Daha söylediğimiz gibi, Türk hükümetini, Türk anayasasında da korunan ilkelere uymaya, yargı bağımsızlığına, bunların hepsi dahil demokrasinin temel ilkelerine uymaya teşvik etmeyi sürdürüyoruz "diye konuştu.

Kirby, ABD’li diplomatların bu tür davaları genel olarak izlediklerini, bu davaya katılım olup olmayacağı konusunda da bilgisinin bulunmadığını söyledi.

Yrd. Doç. Dr. Esra Mungan, Doç. Dr. Kıvanç Ersoy, Yrd. Doç. Dr. Muzaffer Kaya, Yrd. Doç. Dr. Meral Camcı 'terör örgütü propagandası yapmak' suçlamasıyla tutuklu yargılanıyor. Akademisyenler hakkında 7.5 yıla kadar hapis cezası isteniyor.

Diğer taraftan Kirby, ‘ABD'nin 1915 olaylarına ilişkin bu yılki tanımlamasının ne olacağı’ yönündeki bir soruyu ise yanıtsız bıraktı.

Kirby, Anayasa Mahkemesi'nin, Ergenekon Davası'nı hem usul hem de esastan bozması ile ilgili soruya verdiği yanıtta da konuya ilişkin haberleri gördüğünü, Türk hükümeti yetkililerine hukuk önünde herkesin eşit olduğunu anımsatmayı sürdüreceklerini belirtti.

Haber akışı
0
Tartışmaya katılmak için
giriş yapın ya da kayıt olun
loader
Sohbetler
Заголовок открываемого материала